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IRF6665
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
6.0V
6.0V
1
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
10
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
2.0
I D = 5.0A
VGS = 10V
1.5
1
0.1
T J = -40°C
T J = 25°C
T J = 150°C
VDS = 25V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.0
0.5
2
4
6
8
10
12
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
12.0
10.0
8.0
ID= 5.0A
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
Ciss
6.0
Coss
100
10
Crss
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
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